據了解，目前LED芯片結構主要有：正裝、倒裝、垂直三種流派，其中正裝結構因低價優勢而占據主要市場。然而，隨著輸出功率的不斷提高，制約大功率LED發展的光衰較大等問題相繼涌現。

正裝結構由于p，n電極在LED同一側，容易出現電流擁擠現象，并且由于藍寶石襯底導熱性差，嚴重阻礙了熱量的散失。在長時間使用過程中，因為散熱不好而導致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。

相較于正裝LED，垂直芯片結構采用高熱導率的襯底（Si、Ge和Cu等襯底）取代藍寶石襯底，在很大程度上提高散熱效率；垂直結構的LED芯片的兩個電極分別在LED外延層的兩側，通過n電極，使得電流幾乎全部垂直流過LED外延層，橫向流動的電流極少，可以避免局部高溫。但是目前垂直結構制備工藝中，藍寶石剝離工藝較難，制約了產業化發展進程。

而倒裝技術可以細分為兩類，一類是在藍寶石芯片基礎上倒裝，藍寶石襯底保留，利于散熱，但是電流密度提升并不明顯；另一類是倒裝結構并剝離了襯底材料，可以大幅度提升電流密度。

倒裝技術最早出現于2007年，由封裝公司首先進行產品運用，并最先運用在照明領域。而倒裝芯片之所以被稱為“倒裝”則是相對于傳統的金屬線鍵合連接方式（Wire Bonding）與植球后的工藝而言的。傳統的通過金屬線鍵合與基板連接的芯片電氣面朝上，而倒裝芯片的電氣面朝下，相當于將前者翻轉過來，故稱其為“倒裝芯片”。

由于P型GaN傳導性能不佳，為獲得良好的電流擴展，需要通過蒸鍍技術在P區表面形成一層Ni-Au組成的金屬電極層。P區引線通過該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴展，Ni-Au金屬電極層就不能太薄。為此，器件的發光效率就會受到很大影響，通常要同時兼顧電流擴展與出光效率二個因素。但無論在什麼情況下，金屬薄膜的存在，總會使透光性能變差。此外，引線焊點的存在也使器件的出光效率受到影響。采用GaNLED倒裝芯片的結構可以從根本上消除上面的問題。

近年來，隨著LED芯片價格和毛利率的下跌，LED芯片投資回報率逐漸降低，國外LED芯片大廠擴產趨于謹慎，國外芯片供給增長有限，國內廠商借助地方政府的支持政策，依靠資金、規模等方面的優勢積極擴產，全球LED芯片產能逐漸向中國大陸轉移。對于LED芯片企業而言，擴產可搶占規模化優勢，利用大規模制造降低生產成本，因而在2017年各大LED芯片廠商紛紛購買設備擴大生產規模。然而，這也導致LED芯片行業競爭越發激烈。但LED芯片的制造技術和對應的封裝技術共同決定了LED未來的應用前景，因此，發展倒裝LED芯片必將成為了大勢所趨。

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